美光：DDR5利润率现已超过HBM

HBM和传统DRAM目前利润都很丰厚，但通用DRAM的利润率已经超过了HBM。

美光科技公司表示，包括DDR5在内的传统DRAM的利润率最近已经超过了高带宽内存（HBM）的利润率，这反映了长期合同结构和供应紧张状况的综合影响。

据美光公司称，HBM 和传统 DRAM 目前利润都很丰厚，但通用 DRAM（包括用于 PC 和智能手机的产品）的利润率已经超过了 HBM。HBM 采用先进封装技术将多个 DRAM 芯片堆叠在一起，通常制造工艺更复杂，价格也更高。自去年以来，受英伟达和 AMD 等公司推出的 AI 加速器推动，对 HBM 的需求激增。

利润率动态变化的原因主要有两个。

首先，HBM 的供应越来越受长期协议的制约，美光将其称为战略客户协议 (SCA)。首席商务官 Sumit Sadana 表示，HBM 的价格通常在年初之前就已确定，2026 年出货量的很大一部分是在去年年底定价的。虽然此类协议能够提供稳定且可预测的收入，但除了超出合同供应量的增量生产外，它们限制了存储器制造商立即从价格快速上涨中获利的能力。

其次，传统DRAM市场受益于强劲的需求和受限的供应。HBM的生产比标准DRAM消耗更多的晶圆产能，从而减少了通用产品的可用供应。与此同时，数据中心服务器和消费电子设备的需求依然强劲，导致供应短缺。

受此影响，DRAM现货价格飙升。美光表示，DRAM平均售价近期上涨超过60%，使得传统DRAM利润率能够反映实时价格上涨，而HBM价格则基本受合同约束。

尽管DRAM短期内具有盈利优势，但美光表示，公司不会采取纯粹以利润为导向的产品分配策略。相反，公司正在推行一种平衡的战略，以满足客户的全部系统需求，尤其是在人工智能服务器领域。

现代人工智能服务器部署需要HBM和DDR5 DRAM的组合。如果只优先考虑利润率更高的产品，可能会延迟客户发货，最终损害美光自身的营收表现。

首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra)强调了产品类别之间需要保持平衡，并指出大规模系统出货需要“自然平衡”，而且 HBM 和 DRAM 必须作为完整解决方案的一部分一起供应。
例如，英伟达最近推出的Groq-3 语言处理单元 (LPU) 仅使用 SRAM。虽然 SRAM 的单引脚带宽高于 HBM，但其容量不足以满足 AI 工作负载的需求。英伟达通过将 Groq-3 与其 Vera Rubin AI 平台相结合来解决这一限制，Vera Rubin AI 平台集成了高容量 HBM，从而融合了两种架构的优势。

通过这种方式，美光希望其数据中心产品组合能够实现全面增长，包括HBM、DDR5、低功耗 DRAM (LPDDR)、小外形双列直插式内存模块 (SODIMM) 和固态硬盘 (SSD)。
Mehrotra表示，公司的长期战略是保持跨多个行业的多元化供应商地位，并补充说，这一方针将成为美光公司业绩和整个行业增长的关键驱动力。

美光计划在其最近从中国台湾晶圆代工厂领军者之一力积电所收购的铜锣旗舰晶圆厂址之一建设第二座大型芯片制造设施。美光在一份最新声明中表示，这座新芯片制造设施将帮助其显著扩大最先进的数据中心级别DRAM系列产品的供应规模，其中主要包括高带宽存储(即HBM存储系统)，以支持持续激增的人工智能算力需求。美光还表示，已正式完成对力积电铜锣P5晶圆厂大型厂址的收购，并且新的第二座设施规模将与其位于苗栗的现有晶圆厂规模基本相近。

新建设计划预计将于美光2026财年年底之前启动。从美光最新的增产雄心壮志来看，该存储芯片巨头计划趁AI驱动的存储格局供需仍显著偏紧时，为HBM以及服务器级别DRAM系列产品需求升温提前备产，尽快把新增产能变成大规模出货与ASP/实际利润。

美光加速扩产存储芯片之际，正值“存储超级周期”席卷全球，人工智能数据中心对于HBM、服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD的无比强劲需求堪称“无止境”。在野村以及花旗、摩根士丹利等华尔街金融机构们的策略师团队看来，这波存储芯片超级需求周期有望持续至2028年初期。

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